IBM заявила об успешной разработке транзистора, способного работать на частоте 500 ГГц – это примерно в 100 раз превышает максимальные показатели полупроводников, применяемых сейчас в массовом производстве микросхем. Очередной успех инженеров компании достигнут благодаря последовательному совершенствованию технологии внедрения атомов германия в кристаллическую решетку кремния (SiGE), работу над которой IBM начала еще в 1989 году. Справедливости ради нужно уточнить, что для работы на такой скорости транзистор был охлажден до температуры, близкой к абсолютному нулю, однако и при комнатной температуре он способен функционировать на не столь высокой, но тоже вполне впечатляющей частоте 300 ГГц. В принципе, в будущем не исключено использование SiGE-транзисторов для построения сверхбыстродействующих центральных процессоров, однако пока что IBM делает акцент на их применение для построения более специализированных чипов, необходимых для реализации беспроводных сетей с высочайшей пропускной способностью. Согласно прогнозу представителя группы разработчиков, в ближайшие несколько лет можно ждать появления сверхскоростных беспроводных сетей на базе чипов с SiGE-транзисторами, способных обеспечить передачу фильма с DVD-качеством в течение примерно пяти секунд.
